| Lezioni ed esercitazioni |
Ore |
| Argomenti |
Contenuti specifici |
|
| Principi di fisica del trasporto |
Equazione di Boltzmann. Metodo dei momenti. Modelli idrodinamico e drift-diffusion. Trasporto nelle eterogiunzioni. |
10 |
| Principi di meccanica quantistica |
Pacchetti d'onde. Proprietà elettroniche dei cristalli. Reticolo diretto e reciproco. Struttura a bande. Densita` degli stati. Approssimazione della massa efficace. Semiconduttori intrinseci. Livello di Fermi. Concentrazioni di portatori. |
10 |
| Fenomeni di generazione ricombinazione |
Ionizzazione da impatto. Fotogenerazione. Tunneling banda a banda. |
8 |
| Tecnologie micro- e nano-elettroniche |
processi di fabbricazione MOS e bipolari. Diffusione, impiantazione, crescita epitassiale, deposizione e crescita di isolanti, semiconduttori e metalli |
8 |
| Scaling |
Impatto della riduzione delle dimensioni sulle caratteristiche e le prestazioni di dispositivi micro e nanoelettronici.
Architettura di dispositivi elettronici MOS e bipolari ad elevate prestazioni. |
7 |
| Affidabilita' dei dispositivi e delle interconnessioni |
Meccanismi di degrado dei dispositivi elettronici, tunneling, portator caldi, elettromigrazione. |
7 |
| Totale ore lezioni ed esercitazioni |
50 |
| di cui di esercitazione |
6 |
|
Ulteriori attività di didattica assistita
|
Ore
|
| Laboratorio |
4 |
| Seminari e/o testimonianze |
2 |
| Corsi integrativi |
|
| Visite guidate |
|
| |
|
| Totale ore dedicate ad altre attività di didattica
assistita |
6 |
| Totale ore complessive |
56
|