Scheda insegnamento (lingua italiana)

Stampato il 05.05.2024 ore 23:37

Insegnamento

Nanotecnologie elettroniche
Modern Nano-Electronics

Corso di Laurea

Corso di Laurea Specialistica in Ingegneria Elettronica
Second Level Degree in Electrical Engineering

Anno

2

Periodo didattico

2

Crediti

5

Docente:   Luca Selmi Anno accademico:   2010/2011

Obiettivi formativi specifici: Propedeuticità obbligatorie: Competenze acquisite (max. 500 caratteri per riga):
Lezioni ed esercitazioni Ore
Argomenti Contenuti specifici  
elementi di meccanica quantistica per ingegneri elettronici  Elementi di fisica quantistica. Pacchetti d'onde. Proprietà elettroniche dei cristalli. Struttura a bande. Densita` degli stati. Approssimazione della massa efficace. Semiconduttori intrinseci. Livello di Fermi. Concentrazioni di portatori. 8
Elementi di fisica del trasporto di carica per ingegneri  Equazione di Boltzmann. Metodo dei momenti. Modelli idrodinamico e drift-diffusion. Metodo Monte Carlo di soluzione delle equazioni del trasporto. Calcolo delle correnti ai terminali. 8
Effetti di quantizzazione nei dispositivi elettronici  Fenomeni di quantizzazione e trasporto ad alti campi in dispositivi MOSFET. Variazione della tensione di soglia, della capacità effettiva di gate, della corrente di drain. Accenni ai nanofili e ai punti quantici e al loro possibile impiego in nanoelettronica. 10
Scaling dei dispositivi elettronici  l'ITRS roadmap. Impatto della riduzione delle dimensioni sulle caratteristiche e le prestazioni di dispositivi micro e nanoelettronici. Effetti di canale corto. Saturazione della velocità. Effetti di trasporto ad alti campi. Modi di superare le limitazioni dovute allo scaling. Architettura di dispositivi elettronici MOS e bipolari ad elevate prestazioni d'avanguardia. (SOI, Double Gate, FinFETs, Gate all around, heterojunction bipolars). 10
Modelli per dispositivi elettronici d'avanguardia  Modello di trasporto bailistico e quasi-balistico per dispositivi MOS e bipolari. Implicazioni del trasporto balistico sulle prestazioni e le proprietà di scaling dei dispositivi elettronici. Tecnologie nano.eòettroniche su "strained-Silicon". 7
Affidabilita' dei dispositivi e delle interconnessioni  Meccanismi di degrado dei dispositivi elettronici, tunneling, portator caldi, elettromigrazione,latch-up, etc. 7
 Totale ore lezioni ed esercitazioni 50 
 di cui di esercitazione 6 
Ulteriori attività di didattica assistita
Ore
  Laboratorio  4
  Seminari e/o testimonianze  2
  Corsi integrativi  
  Visite guidate  
   
 Totale ore dedicate ad altre attività di didattica assistita 6 
 Totale ore complessive
56 

Modalità d'esame: Prova orale

Testi consigliati: Ulteriore materiale didattico o informazioni reperibili al sito http:// www.diegm.uniud.it/selmi


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